IPW65R150CFDA/IPI126N10N3G N沟道

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Tc）

驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 150 毫欧 @ 9.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 4.5V @ 900µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 86nC @ 10V

Vgs（***大值） &plu***n;20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 2340pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（***大值） 195.3W（Tc）

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO247-3

封装/外壳 TO-247-3

 

产品属性

制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-262-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 
Id-连续漏极电流: 58 A 
*** On-漏源导通电阻: 12.3 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
***小工作温度: - 55 C 
***大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 94 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: OptiMOS 
封装: Tube 
高度: 9.45 mm  
长度: 10.2 mm  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 4.5 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 5 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 8 ns  
工厂包装数量: 500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 24 ns  
典型接通延迟时间: 14 ns  
零件号别名: IPI126N10N3GXKSA1 SP000683072  
单位重量: 2.084 g  

 

 

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