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AFT23S160W02S射频金属氧化物半导体场效应晶体管

发布时间:2019-09-11 07:22:46        

深圳市星际金华电子公司出售AFT23S160W02S射频金属氧化物半导体场效应晶体管  原装促销  价格低廉  

星际金华供应AFT23S160W02S射频金属氧化物半导体场效应晶体管  欢迎致电与我们工作人员取得联系

描述

这些45瓦RF功率LDMOS晶体管专为蜂窝基极而设计
站点应用需要非常宽的瞬时带宽能力
覆盖2300至2400 MHz的频率范围。
•典型的单载波W-CDMA性能:V DD = 28 Vdc,
I DQ = 1100 mA,P out = 45 Wb,输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01%
CCDF的可能性。

特征
•专为宽瞬时带宽应用而设计
•更大的负栅极 - 源极电压范围,用于改善C类
***
•能够承受极高的输出VSWR和宽带工作
条件
•针对Doherty应用进行了优化
•在磁带和卷轴中。R3后缀= 250个单位,56毫米磁带宽度,13英寸卷轴。

产品规格

晶体管类型 LDMOS
频率 2.4GHz
增益 17.9dB
电压 - 测试 28V
额定电流(安培) -
噪声系数 -
电流 - 测试 1.1A
功率 - 输出 45W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 NI-780S
供应商器件封装 NI-780S

实单者下单前请先与***人员咨询,给你带来不便,还请谅解!!!

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