德州CSD25310Q2 P沟道金属氧化物场效应晶体管

发布时间：2018-12-25 09:20:31

深圳市星际金华出售德州 CSD25310Q2 20V P沟道金属氧化物场效应晶体管是一款19.9mΩ、-20V P沟道MOSFET，设计用于提供***低导通电阻和栅极电荷。它具有***小外形尺寸，出色的热特性，采用超薄设计。它导通电阻低，占位面积超小，采用SON 2 mm×2 mm塑料封装制成，适用于电池供电空间受限的设备操作。

型号：CSD25310Q2
品牌：Texas Instruments
类型：分立半导体
批号：18+
封装：DFN22
备注：***进口原装现货

特征
超低Qg和Qgd
低导通电阻
低热阻
无铅
符合RoHS指令
无卤素
SON 2mm×2mm塑料封装

应用
电池管理
负载管理
电池保护

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）

驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 23.9 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（***大值） 4.7nC @ 4.5V

Vgs（***大值） &plu***n;8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 655pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（***大值） 2.9W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 6-WSON（2x2）

封装/外壳 6-WDFN ***焊盘

实单有接受价可申请，欢迎各位广大新老顾客的光临！！！

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